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注3：对于 GW1N-2 器件，若其 MODE[2]的值固定为 1，则其加载频率只能是2.5MHz。

注4：对于GW1N-4/GW1N-9 UV版本器件，如果Vcc和Vccx在某封装中共用一个管脚，那么GW1N-4/GW1N-9的Vccx范围（2.5V~3.3V）会将Vcc范围限制为2.5V~3.3V，此时Vcc不支持1.8V。

注：JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为GPIO，但当mode[2:0]=001时，JTAGSEL_N始终为GPIO，此时可将JTAGSEL_N和JTAG配置的4个管脚（TCK、TMS、TDI、TDO）同时用作GPIO。

注：JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为 I/O，此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况，但当mode[2:0]=001时，JTAGSEL_N管脚与JTAG配置的4个管脚（TCK、TMS、TDI、TDO）可以同时设置为GPIO，此时最大用户I/O数加1。详细信息请参考GW1N系列FPGA产品(车规级)封装与管脚手册。

注：封装前带“C”的器件内嵌硬核处理器，封装前不带“C”的器件不支持硬核处理器。

注：'JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为GPIO，但当mode[2:0]=001时，JTAGSEL_N始终为GPIO，此时可将JTAGSEL_N和JTAG配置的4个管脚（TCK、TMS、TDI、TDO）同时用作GPIO。

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器件	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
逻辑单元(LUT4)	1152	2304	4608	8640	1152	1584
寄存器(FF)	864	2016	3456	6480	864	1584
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)	0	18K	0	16K	0	12K
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	72K	72K	180K	468K	72K	72K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)	4	4	10	26	4	4
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K	96K	96K
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20	0	0
锁相环(PLLs)	1	1	2	2	1	1
I/O Bank 总数	4	6^注 2	4	4	3	6
最多用户 I/O	120	125	218	276	44	125
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	1.8V/2.5V/3.3V ^注1	1.8V/2.5V/3.3V	2.5V/3.3V ^注6	2.5V/3.3V ^注6	-	1.8V/2.5V/3.3V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
CS30	0.4	2.3x2.4	24	-	-	-	23	-
QN32	0.5	5x5	-	21(1)	24(3)	-	-	-
QN32X	0.5	5x5	-	21(1)	-	-	-	-
FN32	0.4	4x4	-	-	-	-	25	-
CS42	0.4	2.4x2.9	-	24(7)	-	-	-	-
CS42H	0.4	2.4x2.9	-	21(3)	-	-	-	-
QN48	0.4	6x6	-	41(12)	40(9)	40(12)	-	-
QN48H	0.4	6x6	-	31(8)	-	-	-	-
QN48F	0.4	6x6	-	-	-	40(11)	-	-
QN48X	0.5	7x7	-	-	-	-	-	39(10)
QN48XF	0.5	7x7	-	-	-	-	-	40(11)
CM64	0.5	4.1x4.1	-	-	-	55(16)注 3	-	-
CS72	0.4	3.6x3.3	-	-	58(19)	-	-	-
CS81M	0.4	4.1x4.1	-	-	-	55(15)	-	-
QN88	0.4	10x10	-	58(17)	71(11)	71(19)	-	-
CS100H	0.4	4x4	-	79(21)	-	-	-	-
LQ100	0.5	14x14	-	80(15)	80(13)	80(20)	-	80(16)
LQ100X	0.5	14x14	-	80(15)	-	-	-	80(16)
LQ144	0.5	20x20	-	113(28)	120(22)	121(28)	-	-
LQ144X	0.5	20x20	-	113(28)	-	-	-	-
LQ144F	0.5	20x20	-	115(27)	-	-	-	-
EQ144	0.5	20x20	-	-	-	121(28)	-	-
MG49	0.5	3.8x3.8	-	42(11)	-	-	-	-
MG100	0.5	5x5	-	-	-	87(25)	-	-
MG100T	0.5	5x5	-	-	-	87(17)	-	-
MG121	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG121X	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG132	0.5	8x8	-	104(29)	-	-	-	-
MG132H	0.5	8x8	-	95(29)	-	-	-	-
MG132X	0.5	8x8	-	104(29)	105(23)	-	-	-
MG160	0.5	8x8	-	-	132(25)	132(38)	-	-
UG169	0.8	11x11	-	-	129(27)	129(38)	-	-
LQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
EQ176	0.4	20x20	-	-	-	148(37)	-	-
MG196	0.5	8x8	-	-	-	113(35)	-	-
PG256	1.0	17x17	-	-	208(32)	208(36)	-	-
PG256M	1.0	17x17	-	-	208(32)	-	-	-
UG256	0.8	14x14	-	-	-	207(36)	-	-
UG332	0.8	17x17	-	-	-	274(43)	-	-

器件	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
逻辑单元(LUT4)	2304	4608	8640
寄存器	2016	3456	6480
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	18K	0	16K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K	180K	468K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	4	10	26
用户闪存(bits)	96K	256K	608K
乘法器(18 x 18 Multiplier)	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	2	2
I/O Bank总数	6	4	4
最大GPIO数	125	218	276
核电压（LV版本）	1.2V	1.2V	1.2V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
QN60	0.35	6 x 6	-	-	44(11)
QN88	0.4	10 x 10	57（17）	70（11）	-
QN88F	0.4	10 x 10	-	-	70(24)

器件	GW1NZ-1	GW1NZ-2
逻辑单元(LUT4)	1152	2304
寄存器(FF)	864	2016
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)	4K	18K
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	72K	72K
锁相环(PLLs)	1	1
用户闪存-bits	64K	96K
最大GPIO数	48	125
核电压典型值(LV版本)	1.2V	1.2V
核电压典型值(ZV版本)	0.9V/1.0V	0.9V/1.0V

器件	GW1NR- 1	GW1NR- 2	GW1NR- 4	GW1NR- 9
逻辑单元(LUT4)	1,152	2,304	4,608	8,640
寄存器(FF)	864	2,304 (FF +Latch, 其中FF：2016)	3,456	6,480
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)	0	18K	0	16K
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	72K	72K	180K	468K
块状静态随机存储器 BSRAM(个)	4	4	10	26
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K
SDR SDRAM (bits)	-	-	64M	64M
PSRAM(bits)	-	64M(MG49P) 32M(MG49PG)	32M(QN88P) 64M(MG81P)	64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS) 128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)
NOR FLASH (bits)	4M	4M (MG49G/MG49PG)	-	-
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	1	2	2
I/O Bank 总数	4	7	4	4
最大GPIO数	120	126	218	276
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	-	1.8V/2.5/3.3V	2.5/3.3V	2.5/3.3V

封装	器件	Memory类型	容量	位宽
QN88	GW1NR-4	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88	GW1NR-9	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88P	GW1NR-4	PSRAM	32M	8 bits
QN88P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG81P	GW1NR-4	PSRAM	64M	16 bits
MG100P	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PF	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PA	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PT	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG100PS	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
LQ144P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
FN32G EQ144G QN32X QN48X LQ100G	GW1NR-1	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49P	GW1NR-2	PSRAM	64M	16 bits
MG49G	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49PG	GW1NR-2	PSRAM	32M	8 bits
MG49PG	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit

器件	GW1NS- 4	GW1NS- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 BSRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	-
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最大GPIO数	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	GW1NSR- 4	GW1NSR- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 BSRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	-
PSRAM(bits)	64M	64M
HyperRAM(bits)	-	64M
NOR FLASH (bits)	-	32M
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最多用户 I/O	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	封装	Memory 类型	容量	位宽
GW1NSR-4	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR- 4C	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
	QN48P	HyperRAM	64MB	8 bits
	QN48G	NOR FLASH	32Mb	1 bit

器件	GW1NSE- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)	10
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)	0
用户闪存(bits)	-
18X18乘法器	16
锁相环(PLLs)	2
OSC	1,+/-5% accuracy
硬核处理器	Cortex- M3
I/O Banks	3
核电压	1.2V
最多用户 I/O	106

器件	GW1NSER- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 BSRAM(个)	10
用户闪存- bits	-
HyperRAM(bits)	64M
NOR FLASH (bits)	32M
乘法器(18x18 Multiplier)	16
锁相环(PLLs)	2
I/O Bank 总数	4
最多用户 I/O	106
OSC	1，精度 ±5%
硬核处理器	Cortex- M3
核电压	1.2V

器件	GW1NRF-4B
逻辑单元(LUT4)	4606
寄存器(FF)	3456
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 BSRAM（个）	10
用户闪存-bits	256K
18X18乘法器	16
PLLs	2
I/O Bank总数	4
最大GPIO数	25
硬核处理器	ARC EM4
内存模块	136KB ROM 48KB IRAM 28KB DRAM 128KB OTP
射频模块	蓝牙 5.0 低功耗
安全加密模块	AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器
低功耗模块	电源管理模块 DCDC 转换器
核电压（LV）	1.2V
核电压（UV）	1.8V/2.5V/3.3V